911

Uutiset

SOI-kiekon käyttö nostaa yhdistepuolijohteiden suorituskykyä tehoelektroniikassa

Tutkijat valmistivat SOI-kiekolla laadukkaampia galliumnitridikiteitä kuin perinteisellä piikiekolla.
tiedote02032017_kuva1_www_fi_fi.jpg

Tutkijat hyödynsivät Micronovan puhdastiloja sekä erityisesti galliumnitridin valmistamiseen tarkoitettua reaktoria. Kuvassa on kuuden tuuman alustakidekiekko MOVPE-reaktorissa ennen kiteenvalmistusta. Kuva: Aalto-yliopisto / Jori Lemettinen

Aalto-yliopiston tutkijat ovat selvittäneet yhteistyössä Okmetic Oy:n ja puolalaisen ITME:n kanssa puolijohdeteollisuudessa erilaisten mikroelektroniikan komponenttien alustana käytetyn SOI-kiekon (Silicon On Insulator) soveltamista galliumnitridi-kiteiden valmistusalustaksi. Tutkijat vertailivat SOI-kiekon ominaisuuksia puolijohdekiteiden valmistuksessa yleisemmin käytössä olevaan piikiekkoon. Okmetic valmistaa korkean suorituskyvyn piikiekkojen lisäksi myös SOI-kiekkoja, joissa kahden piikerroksen välissä on piidioksidi-eristekerros. SOI-tekniikan tavoitteena on parantaa kiekon kapasitiivisia ja eristäviä ominaisuuksia.

”Käytimme standardisoitua valmistusmallia, kun vertailimme kiekkojen ominaisuuksia. SOI-kiekolla saimme valmistettua parempaa kidelaatua kuin piikiekolla. Lisäksi SOI-kiekossa oleva eristävä kerros parantaa läpilyöntikestävyyttä eli mahdollistaa selvästi korkeampien jännitteiden käytön tehoelektroniikassa. Samoin radioelektroniikassa häiriöt vähenevät, kun signaali ei pääse kytkeytymään häviöllisesti tai toisiin komponentteihin” tohtorikoulutettava Jori Lemettinen Elektroniikan ja nanotekniikan laitokselta kertoo.

”Galliumnitridi-pohjaiset (GaN) komponentit ovat yleistymässä teho- ja radioelektroniikan sovelluksissa. GaN-sovellusten suorituskykyä voidaan parantaa, kun puolijohdekiteiden valmistusalustana käytetään SOI-kiekkoa”, akatemiatutkija Sami Suihkonen ää.

SOI-kiekko vähentää kiteenvalmistuksen haasteita

Galliumnitridin valmistaminen piikerroksen päälle on haasteellista. Standardisoidussa valmistusmallissa (MOVPE) käytettävillä yhdistepuolijohdemateriaaleilla alumiininitridillä, alumiinigalliumnitridillä ja galliumnitridillä on erilaiset lämpölaajenemiskertoimet ja hilavakiot kuin piikiekolla. Nämä erot ominaisuuksissa rajoittavat saavutettavaa kidelaatua ja valmistetun kerroksen suurinta mahdollista paksuutta.

”Tutkimus osoitti, että SOI-kiekon kerrosrakenne voi joustaa galliumnitridi-kerroksen valmistuksen aikana ja siten vähentää kidevirheitä sekä jännitystä”, Lemettinen toteaa.

Oikealla on elektronimikroskooppikuva valmistetun kerrosrakenteen poikkileikkauksesta. Ylhäältä alaspäin MOVPE:lla valmistetut yhdistepuolijohdekerrokset, komponenttipii-kerros, piidioksidi-eristekerros ja SOI-kiekon pohjana toimiva piikiekko. Kuva: Aalto-yliopisto / Jori Lemettinen

GaN eli galliumnitridi-pohjaisia komponentteja käytetään yleisesti sinisissä ja valkoisissa ledeissä. Tehoelektroniikan sovelluksissa erityisesti GaN-diodit ja -transistorit ovat herättäneet kiinnostusta esimerkiksi taajuusmuuttajissa tai sähköautoissa. Radioelektroniikan sovelluksissa 5G-verkkojen tukiasemien uskotaan käyttävän tulevaisuudessa GaN-pohjaisia tehovahvistimia. Elektroniikan sovelluksissa GaN-transistori tarjoaa matalan resistanssin ja mahdollistaa korkeat taajuudet sekä tehotiheydet.

Artikkeli on hyväksytty julkaistavaksi Semiconductor Science and Technology -lehdessä.
 

äپٴDz:
Jori Lemettinen
Aalto-yliopisto
jori.lemettinen@aalto.fi  
puh 040 5723 087

akatemiatutkija Sami Suihkonen
Aalto-yliopisto
sami.suihkonen@aalto.fi 
puh 050 3618 657

  • äٱٳٲ:
  • Julkaistu:
Jaa
URL kopioitu

Lue lisää uutisia

The 3 members from the Kenno team smiling at the camera in a picture selfie style
Campus, Research & Art, University Julkaistu:

The company established by three anthropologists relied on strong research expertise

Etnografinen tutkimustoimisto Kenno Oy was established in 2014 when its three founders were finalising their master's degree studies at the University of Helsinki and wanted to create an interesting job for themselves.
Kasvot peitetty henkilö raidallisessa paidassa lasi-ikkunan ja punatiiliseinän edessä
Palkinnot ja tunnustukset, Mediatiedotteet, Opinnot Julkaistu:

Prototyping and Validation Grant: VeinOptima

Aallon opiskelijan kehitteillä oleva tuote auttaa hoitajia löytämään verisuonet nopeammin.
A group of people cheering with branded black cups. 4 people sitting, 2 on each side, and one in the middle standing up. 3 men and two women
Kampus, Tutkimus ja taide, Yliopisto Julkaistu:

Kolmen tutkijan ideasta syntyi deep tech -yritys

Vahvaan tutkimusosaamiseen nojaava Sim Analytics Oy sai alkunsa, kun kolme LUT-yliopiston eri laboratorioissa työskennellyttä tutkijakollegaa alkoi miettiä, miten tarjota ja analysoida dataa teollisuusyritysten liiketoimintapäätösten tueksi.
Hehkuva neonpallo, geometrinen ydin ja valojuovat leijuvat tumman tabletin yläpuolella
Mediatiedotteet, Tutkimus ja taide Julkaistu:

Ensimmäinen suprajohtava kvanttilämpökone osoittaa, että lämpö voidaan valjastaa työksi myös kvanttimaailmassa

Suprajohtava kvanttilämpökone paitsi edistää termodynamiikan perustutkimusta, voi myös merkittävästi pienentää tulevaisuuden kvanttitietokoneiden hintalappua.